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關(guān)于tegra4_truddr4內(nèi)存和ddr4的區(qū)別的知識大家了解嗎?以下就是小編整理的關(guān)于tegra4_truddr4內(nèi)存和ddr4的區(qū)別的介紹,希望可以給到大家一些參考,一起來了解下吧!
1,truddr4內(nèi)存和ddr4的區(qū)別:內(nèi)存得速度上除了工作頻率外,還有內(nèi)存的各種延遲,一般來說,延遲越小內(nèi)存性能越好。對內(nèi)存影響較大得延遲有CommandRate,CAS,TRCD,TRP,TRAS。在同樣都是2200MHz的工作頻率下,DDR4代的各項(xiàng)延遲能被設(shè)置的更小,性能當(dāng)然也比DDR3高。另外,DDR4代內(nèi)存的制成要比DDR3代進(jìn)步,發(fā)熱也比DDR3代的低。值得說得是,在整機(jī)中并不是內(nèi)存的性能越好越好。因?yàn)樵谡麢C(jī)中還存在各個(gè)配件的數(shù)據(jù)交換帶寬,比如說前端總線等。若前端總線為1800MHz那么只要800MHz的雙通道內(nèi)存或1600MHz的單通道內(nèi)存就夠了,比這還高的內(nèi)存不能完全發(fā)揮他的性能。這也是Inter在新的Nehalem構(gòu)架中拋棄FSB總線而采用更高速的QPI總線的原因。
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