(相關(guān)資料圖)
三星電子有望在明年推出第9代V-NAND閃存,據(jù)悉,這款新型閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),層數(shù)超過300層。這一舉措將使三星在競爭中領(lǐng)先SK海力士,后者計(jì)劃在2025年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)321層的三層堆棧架構(gòu)NAND閃存。值得一提的是,三星早在2020年就首次引入了雙層堆棧架構(gòu),開始生產(chǎn)第7代V-NAND閃存芯片。 雙層堆棧架構(gòu)是指在300mm晶圓上生產(chǎn)一個(gè)3D NAND堆棧,然后在第一個(gè)堆棧的基礎(chǔ)上再建立一個(gè)堆棧。三星即將生產(chǎn)的超過300層的第9代V-NAND將提高單個(gè)晶圓上的存儲(chǔ)密度,從而有利于降低固態(tài)硬盤的成本。 與此同時(shí),SK海力士的三層堆棧架構(gòu)是通過創(chuàng)建三組不同的3D NAND層來實(shí)現(xiàn)的。這種做法將增加生產(chǎn)步驟和原材料的使用量,旨在最大限度地提高產(chǎn)量。 據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,業(yè)界認(rèn)為在三星推出第9代3D NAND之后,該公司有望在第10代的430層3D NAND中采用三層堆棧架構(gòu)。業(yè)內(nèi)人士表示,如果3D NAND的層數(shù)超過400,原材料的使用量和晶圓的成本也會(huì)大幅增加,但同時(shí)也能保證產(chǎn)量。 在去年10月舉行的“2022三星科技日”上,三星提出了長期愿景,即到2030年將層數(shù)提升至1000層。這一愿景顯示了三星在3D NAND技術(shù)領(lǐng)域的雄心壯志。