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由于對(duì)商品存儲(chǔ)器的需求迅速惡化和價(jià)格下跌,美光公司正在削減3D NAND和DRAM的晶圓開工量,與上一季度相比立即減少20%。該公司現(xiàn)在預(yù)計(jì)其3D NAND比特產(chǎn)出在下一個(gè)日歷年增長(zhǎng)不明顯,而其DRAM比特產(chǎn)出將在2023年減少。
為了應(yīng)對(duì)3D NAND和DRAM內(nèi)存需求的放緩,美光公司將比2022財(cái)年第四季度(截至2022年9月1日)減少約20%的晶圓啟動(dòng)。削減將在美光用于大批量生產(chǎn)的所有技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行,因此基本上該公司正在削減其幾乎所有類型產(chǎn)品的產(chǎn)量。
美光正在進(jìn)行的2023財(cái)年第一季度在12月初結(jié)束,所以今天削減晶圓的開工率對(duì)該公司該季度的業(yè)績(jī)或市場(chǎng)幾乎不會(huì)產(chǎn)生有意義的影響。由于3D NAND和DRAM的生產(chǎn)和測(cè)試/包裝周期都相當(dāng)長(zhǎng),市場(chǎng)將在幾周后感受到美光削減的影響。同時(shí),現(xiàn)貨價(jià)格可能會(huì)更早地對(duì)美光的公告做出反應(yīng)。
但目前的晶圓開工削減將對(duì)該公司整個(gè)2023財(cái)年的產(chǎn)出產(chǎn)生影響,因?yàn)槊拦忸A(yù)計(jì)其DRAM位產(chǎn)出將下降,而3D NAND位產(chǎn)出將在"個(gè)位數(shù)百分比范圍內(nèi)增長(zhǎng)。
美光今年夏天啟動(dòng)了232層3D NAND存儲(chǔ)器的生產(chǎn),今天早些時(shí)候開始在其1β(1-beta)制造工藝上制造LPDDR5X存儲(chǔ)器。這兩個(gè)新的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)將使美光減少成本并提高比特產(chǎn)出,但該公司在9月底警告說,它將減緩232層3D NAND和1β DRAM的生產(chǎn)速度,以限制比特產(chǎn)出。美光的232層3D NAND器件具有2400MT/s的接口,將實(shí)現(xiàn)PCIe 5.0 x4接口的最快固態(tài)硬盤,其12.4GB/s的連續(xù)讀取速度將超過目前的最佳固態(tài)硬盤。
美光公司還在9月披露,其2023財(cái)年的資本支出總額約為80億美元,比2022財(cái)年下降30%。削減主要涉及采購(gòu)新的晶圓廠設(shè)備,這將放緩該公司最新制造技術(shù)的采用。由于該公司正在建設(shè)其在愛達(dá)荷州的新工廠,該公司的建筑資本支出預(yù)計(jì)將增加一倍以上。今天,該公司說它正在 "努力實(shí)現(xiàn)額外的資本支出削減",但沒有詳細(xì)說明。
"美光公司正在采取大膽和積極的措施,減少比特供應(yīng)的增長(zhǎng),以限制我們的庫存規(guī)模,"美光公司首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra說。"我們將繼續(xù)監(jiān)測(cè)行業(yè)狀況,并根據(jù)需要做出進(jìn)一步調(diào)整。盡管有近期的周期性挑戰(zhàn),我們對(duì)我們市場(chǎng)的世俗需求驅(qū)動(dòng)力仍有信心,從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,預(yù)計(jì)內(nèi)存和存儲(chǔ)收入的增長(zhǎng)將超過半導(dǎo)體行業(yè)的其他部分。"